Vishay Intertechnology lanserte ny 60V TrenchFET Gen IV n-kanalstrøm MOSFET optimalisert for standard gate-stasjoner for å levere maksimal motstand mot 4 mΩ ved 10 V i den termisk forbedrede 3,3 mm med 3,3 mm PowerPAK® 1212-8S-pakken. Vishay Siliconix SiSS22DN er designet for å øke effekttettheten og effektiviteten i å bytte topologier med en lav portladning på 22,5 nC sammen med lav utladning (QOSS). SiSS22DN leveres med forbedret Threshold Gate Source V GS (th) og Miller platåspenning som er forskjellig fra logiske nivå 60 V-enheter, slik at MOSFET leverer optimaliserte dynamiske egenskaper som muliggjør korte dødtider og forhindrer gjennomskyting i synkrone likeretterapplikasjoner.
Den SiSS22DN MOSFET har lavest mulig 4,8% på motstand og Q OSS på 34,2 nC gir best i klassen Q OSSganger motstand. Enhetene bruker 65% mindre PCB-plass i 6 mm x 5 mm-pakke og oppnår høyere effekttetthet. SiSS22DN har finjusterte spesifikasjoner for å redusere lednings- og koblingstap samtidig, noe som resulterer i økt effektivitet som kan realiseres i flere byggesteiner for strømstyringssystem, inkludert synkron retting i DC / DC og AC / DC topologier; halv-bridge MOSFET-strømtrinn i buck-boost-omformere, primærsidebytte i DC / DC-omformere og OR-ing-funksjonalitet i strømforsyning til telekom og server; batteribeskyttelse og lading i batteristyringsmoduler; og motorstyring og kretsbeskyttelse i industrielt utstyr og elektroverktøy.
Funksjoner av SiSS22DN MOSFET:
- TrenchFET® Gen IV kraft MOSFET
- Svært lav RDS - Qg-of-merit (FOM)
- Innstilt for den laveste RDS - Qoss FOM
SiSS22DN MOSFET er 100% RG- og UIS-testet, halogenfri og RoHS-kompatibel. Den kommer i PowerPAK 1212-8S-pakke, og prøver og produksjonsmengder er tilgjengelig nå, med ledetider på 30 uker underlagt markedsforhold.